烧结温度对合成Ti3SiC2材料的影响及反应机理的研究
来源期刊：兵器材料科学与工程2008年第4期
论文作者：周永欣 吕振林 王超 王玲玲
关键词：烧结温度; 固-液反应; 热力学分析; Ti3SiC2; 反应机理;
摘 要：以Ti/Si/C为原料,采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料,并分析反应烧结机理.结果表明,以3Ti/1.2Si/2C为起始原料,烧结温度在1 250～1 300℃之间,可以得到Ti3SiC2含量90%以上的Ti3SiC2材料.Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应,即:Ti5Si3和β-Ti形成液相,液相再与TiC反应,进而合成Ti3SiC2.
周永欣1，吕振林1，王超1，王玲玲1
(1.西安理工大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710048)
摘要:以Ti/Si/C为原料,采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料,并分析反应烧结机理.结果表明,以3Ti/1.2Si/2C为起始原料,烧结温度在1 250～1 300℃之间,可以得到Ti3SiC2含量90%以上的Ti3SiC2材料.Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应,即:Ti5Si3和β-Ti形成液相,液相再与TiC反应,进而合成Ti3SiC2.
关键词:烧结温度; 固-液反应; 热力学分析; Ti3SiC2; 反应机理;
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