三源共蒸法制备CIS薄膜及其性能研究

来源期刊：东北大学学报(自然科学版)2009年第2期

论文作者：单玉桥 党鹏 孙绍广 单连中

文章页码：233 - 237

关键词：CuInSe2;太阳电池;薄膜;三源共蒸;

摘    要：用三源共蒸法以高纯的Cu,In,Se粉为原材料制备了CuInSe2薄膜,研究了基片温度、退火处理对薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、霍尔效应仪对薄膜的形貌、结构、光学及电学性能进行检测.研究结果表明:不同基片温度下的薄膜对可见光都具有较高的吸收指数;薄膜在（112）晶面有高度的择优取向;基片温度为200℃时薄膜的Eg为0.99 eV;基片温度为200℃和300℃时薄膜都获得了单一黄铜矿结构的CuInSe2,退火处理后电阻为1.53Ω/cm2和1.55Ω/cm2.