硫化时间对CuInS2薄膜特性的影响（英文）
来源期刊：稀有金属材料与工程2015年第4期
论文作者：王利刚 王延来 姚伟 朱俊 徐金刚
文章页码：805 - 807
关键词：CuInS2薄膜;硫化时间;光电特性;
摘 要：磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明:硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.421.55eV之间。
王利刚，王延来，姚伟，朱俊，徐金刚
内蒙古大学半导体光伏技术自治区重点实验室
摘 要：磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明:硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.421.55eV之间。
关键词：CuInS2薄膜;硫化时间;光电特性;
