纳米Cu2O/TiO2异质结薄膜电极的制备和表征
来源期刊：无机材料学报2006年第2期
论文作者：张新 贾志勇 唐一文 张丽莎 陈志钢
关键词：氧化亚铜薄膜; 二氧化钛膜; 异质结电极; 光电化学;
摘 要：通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O,获得了p-Cu2O/n-TiO2异质结电极.研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响,制备出纯度较高、粒径为40～50nm的Cu2O薄膜.纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好,禁带宽度为2.06eV.光电化学测试表明纳米p-Cu2O/n-TiO2异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率.
张新1，贾志勇1，唐一文1，张丽莎1，陈志钢1
(1.华中师范大学纳米科技研究院,武汉,430079;
2.复旦大学先进材料实验室,上海,200433)
摘要:通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O,获得了p-Cu2O/n-TiO2异质结电极.研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响,制备出纯度较高、粒径为40～50nm的Cu2O薄膜.纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好,禁带宽度为2.06eV.光电化学测试表明纳米p-Cu2O/n-TiO2异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率.
关键词:氧化亚铜薄膜; 二氧化钛膜; 异质结电极; 光电化学;
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