溶胶-凝胶法SrIn_xTi_1-xO₃薄膜的制备及表征

来源期刊：绝缘材料2011年第1期

论文作者：常亮亮 殷明志

文章页码：17 - 21

关键词：溶胶-凝胶法;SrInxTi1-xO3薄膜;结构;

摘    要：以Sr（OOCCH3）2·H2O,In（NO3）3.41/2H2O及Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺制备了SrInx-Ti1-xO3（SITO）薄膜。SITO凝胶薄膜经过575⁷25℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM对薄膜结构和形貌表征。霍尔测定表明In-STO薄膜属于空穴导电的p-型半导体。SITO薄膜形貌与溶胶的陈化时间有关,最佳陈化时间为5²0 h。