用沉淀二氧化硅合成钛硅分子筛TS-2的研究
来源期刊：无机材料学报2005年第2期
论文作者：李大光 刘卅 张焜 余林 易国斌 王乐夫 郭建维
关键词：钛硅分子筛; TS-2; 合成; 沉淀二氧化硅;
摘 要：以沉淀二氧化硅为硅源,钛酸四丁酯为钛源,四丁基氢氧化铵为模板剂,采用水热晶化法合成了TS-2分子筛.在优化合成步骤的基础上,采用XRD、FT-IR、UV-Vis、SEM等测试方法系统研究了晶化温度、凝胶Si/Ti对晶化动力学行为及TS-2分子筛晶相结构的影响.结果表明:高纯TS-2分子筛的最佳晶化温度为175.C,过高的晶化温度易导致MEL结构向MFI晶相结构的转变及晶粒的逐渐长大.高纯TS-2样品的极限Ti/Si值为0.04,高于此值则生成非骨架钛氧化物,并造成相对结晶度和催化氧化性能显著降低.
李大光1，刘卅2，张焜1，余林1，易国斌1，王乐夫2，郭建维1
(1.广东工业大学轻工化工学院,广州,510090;
2.华南理工大学,广州,510640)
摘要:以沉淀二氧化硅为硅源,钛酸四丁酯为钛源,四丁基氢氧化铵为模板剂,采用水热晶化法合成了TS-2分子筛.在优化合成步骤的基础上,采用XRD、FT-IR、UV-Vis、SEM等测试方法系统研究了晶化温度、凝胶Si/Ti对晶化动力学行为及TS-2分子筛晶相结构的影响.结果表明:高纯TS-2分子筛的最佳晶化温度为175.C,过高的晶化温度易导致MEL结构向MFI晶相结构的转变及晶粒的逐渐长大.高纯TS-2样品的极限Ti/Si值为0.04,高于此值则生成非骨架钛氧化物,并造成相对结晶度和催化氧化性能显著降低.
关键词:钛硅分子筛; TS-2; 合成; 沉淀二氧化硅;
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