CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷深陷阱松弛特性研究

杨雁¹，李盛涛²，李晓²，吴高林¹，王谦¹，鲍明晖¹

1. 重庆市电力公司电力科学研究院2. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室

摘 要：研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性.测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1～107Hz,温度为–100～100℃的范围内的介电频谱及温谱.通过对不同温度下介电频谱的分析,研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性.研究表明:在交流小信号作用下,由于Schottky势垒中深陷阱与Fermi能级的上下关系发生变化,引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程,在介电频谱中表现为松弛峰;并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数.比较不同试样的深陷阱参数可知:在CaCu3Ti4O12陶瓷中,在导带以下约0.52和0.12 eV的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱.介电温谱与频谱的分析类似,二者可以互为补充.

关键词：CaCu3Ti4O12陶瓷;介电频谱;松弛特性;Schottky势垒;