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Langmuir-Blodgett法制备b-轴取向MFI型分子筛膜

来源期刊:无机材料学报2016年第4期

论文作者:年佩 鱼婷 苏美慧 王政 张斌兴 李山 宋智 马强

文章页码:377 - 382

关键词:Langmuir-Blodgett技术;分子筛膜;取向分子筛膜;

摘    要:实验利用Langmuir-Blodgett(LB)技术大面积有序组装分子筛晶粒,进而制备连续致密且高度b-轴取向MFI型分子筛膜。首先,采用LB技术在表面性质不同的不锈钢载体和铂电极载体上实现了b-轴取向MFI分子筛晶粒的高度有序组装;其次,采用合成液预处理法对LB法制备的高度b-轴取向的MFI晶种层进行二次合成。XRD和SEM表征结果显示:采用合成液预处理法可以有效抑制分子筛晶粒在二次生长过程中生成孪晶,进而获得高度b-轴取向MFI分子筛膜;最后,电化学测试结果证实采用LB技术制备的b-轴取向MFI分子筛膜致密,无缺陷。

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Langmuir-Blodgett法制备b-轴取向MFI型分子筛膜

年佩1,2,鱼婷2,3,苏美慧1,2,王政1,2,张斌兴1,2,李山1,2,宋智1,2,马强1,2

1. 宁夏大学化学化工学院2. 宁夏大学能源化工重点实验室省部共建天然气转化国家重点实验室培育基地3. 宁夏大学新华学院

摘 要:实验利用Langmuir-Blodgett(LB)技术大面积有序组装分子筛晶粒,进而制备连续致密且高度b-轴取向MFI型分子筛膜。首先,采用LB技术在表面性质不同的不锈钢载体和铂电极载体上实现了b-轴取向MFI分子筛晶粒的高度有序组装;其次,采用合成液预处理法对LB法制备的高度b-轴取向的MFI晶种层进行二次合成。XRD和SEM表征结果显示:采用合成液预处理法可以有效抑制分子筛晶粒在二次生长过程中生成孪晶,进而获得高度b-轴取向MFI分子筛膜;最后,电化学测试结果证实采用LB技术制备的b-轴取向MFI分子筛膜致密,无缺陷。

关键词:Langmuir-Blodgett技术;分子筛膜;取向分子筛膜;

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