金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

来源期刊：功能材料与器件学报2011年第4期

论文作者：黄园媛 石培培 牛巧利 章勇

文章页码：350 - 354

关键词：金属诱导晶化;p型多晶硅薄膜;非晶硅薄膜;

摘    要：利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜。研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析。结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱。优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10%。