SiC及a-SiC：H薄膜的辐照及其进展
来源期刊：材料导报2001年第7期
论文作者：刘贵昂 王天民
关键词：SiC; 辐照; 发展方向与应用前景;
摘 要：SiC是一种宽带隙半导体材料，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。介绍了国外对该材料及其薄膜进行辐照的一些结果，并指出开展SiC及其薄膜辐照效应研究的重要意义，预测了其发展方向和应用前景。
刘贵昂1，王天民2
(1.湛江海洋大学基础科学系,;
2.北京航空航天大学理学院,)
摘要:SiC是一种宽带隙半导体材料，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。介绍了国外对该材料及其薄膜进行辐照的一些结果，并指出开展SiC及其薄膜辐照效应研究的重要意义，预测了其发展方向和应用前景。
关键词:SiC; 辐照; 发展方向与应用前景;
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