实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体

来源期刊：无机材料学报2001年第1期

论文作者：孙洵 王圣来 曾红 付有君 高樟寿 李义平

关键词：过饱和度; 晶体质量; 实时控制; 电导;

摘    要：用变压器型电导仪实现了KDP晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度0.03g KDP/100g H2O(0.10%相对过饱和度)，控制精度与测量精度相当. 过饱和度实时控制系统提供了一种方法，可以研究在不同工艺条件生长KDP晶体时，过饱和度与晶体生长和性能的关系. 用分析纯原料生长KDP晶体，发现随着过饱和度的增大，晶体的生长速度加快，晶体的均匀性降低. 过饱和度实时控制系统可以使KDP晶体在相对恒定的过饱和度下生长，提高了晶体生长的均匀性，抑制了生长层和散射颗粒的产生，有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值.