简介概要

Ti-Al系电子结构及Mn掺杂对TiAl3室温脆性的影响

来源期刊:粉末冶金材料科学与工程2010年第2期

论文作者:李燕峰 徐慧 夏庆林 宋招权

文章页码:102 - 109

关键词:密度泛函;TiAl合金;Mn掺杂;室温脆性;

摘    要:以Ti-Al的3个化合物相(Ti3Al、TiAl和TiAl3)及Ti3Al8Mn为对象,采用密度泛函的赝势平面波法,在优化驰豫的基础上计算其电子结构和弹性模量,系统分析成分对各相电子结构的变化及脆性的影响。结果表明:Al含量逐步增多导致Al2p—Ti3d成键并抑制Ti—Ti键,使共价键以及成键的各向异性增强,因而使合金脆性增大;Mn替代Al位掺杂后,可减少Al—Al共价键,抑制Al2p—Ti3d成键并增强Mn与Ti的3d电子层杂化程度,降低由Al—Al共价键和Al2p—Ti3d杂化键形成所带来的键的空间各向异性和高位错能垒,进而改善合金的室温脆性。

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Ti-Al系电子结构及Mn掺杂对TiAl3室温脆性的影响

李燕峰1,2,徐慧2,夏庆林1,3,宋招权2

1. 中南大学物理科学与技术学院2. 中南大学材料科学与工程学院3. 中南大学粉末冶金国家重点实验室

摘 要:以Ti-Al的3个化合物相(Ti3Al、TiAl和TiAl3)及Ti3Al8Mn为对象,采用密度泛函的赝势平面波法,在优化驰豫的基础上计算其电子结构和弹性模量,系统分析成分对各相电子结构的变化及脆性的影响。结果表明:Al含量逐步增多导致Al2p—Ti3d成键并抑制Ti—Ti键,使共价键以及成键的各向异性增强,因而使合金脆性增大;Mn替代Al位掺杂后,可减少Al—Al共价键,抑制Al2p—Ti3d成键并增强Mn与Ti的3d电子层杂化程度,降低由Al—Al共价键和Al2p—Ti3d杂化键形成所带来的键的空间各向异性和高位错能垒,进而改善合金的室温脆性。

关键词:密度泛函;TiAl合金;Mn掺杂;室温脆性;

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