低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究
来源期刊：材料保护2003年第5期
论文作者：吴素娟 满卫东 马志斌 王传新 王升高 康志成 汪建华
关键词：化学气相沉积; 低偏压生长; 金刚石薄膜; 图像;
摘 要：在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响.实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于(111)面显露,负偏压有利于(100)面显露.在低偏压条件下生长时,低的沉积气压和甲烷浓度有利于(111)面显露;而高的气压和甲烷浓度有利于(100)面显露.过高的甲烷浓度将恶化金刚石质量,出现菜花状组织,无明显的晶面显露.
吴素娟1，满卫东2，马志斌1，王传新2，王升高2，康志成2，汪建华1
(1.武汉化工学院湖北省微波等离子体化学与新材料重点实验室,湖北,武汉,430073;
2.中国科学院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031)
摘要:在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响.实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于(111)面显露,负偏压有利于(100)面显露.在低偏压条件下生长时,低的沉积气压和甲烷浓度有利于(111)面显露;而高的气压和甲烷浓度有利于(100)面显露.过高的甲烷浓度将恶化金刚石质量,出现菜花状组织,无明显的晶面显露.
关键词:化学气相沉积; 低偏压生长; 金刚石薄膜; 图像;
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