裂解温度对先驱体转化制备2D-Cf/SiC材料结构与性能的影响
来源期刊：航空材料学报2006年第5期
论文作者：郑文伟 陈朝辉 简科 马青松 胡海峰
关键词：裂解温度; 界面; 先驱体转化法; Cf/SiC材料;
摘 要：以聚碳硅烷(PCS)、二乙烯基苯(DVB)和SiC微粉为原料制备了2D-Cf/SiC材料,考察了首次裂解温度对材料结构与性能的影响.结果表明,首次裂解温度的提高有助于弱化界面结合,形成良好的界面结构,从而提高材料的力学性能.当裂解温度从1000℃提高到1600℃时,材料的弯曲强度由200.7MPa提高到319.2MPa,剪切强度由16.8MPa提高到29.8MPa,断裂韧度由7.4 MPa·m1/2提高到15.0 MPa·m1/2.
郑文伟1，陈朝辉1，简科1，马青松1，胡海峰1
(1.国防科技大学,新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073)
摘要:以聚碳硅烷(PCS)、二乙烯基苯(DVB)和SiC微粉为原料制备了2D-Cf/SiC材料,考察了首次裂解温度对材料结构与性能的影响.结果表明,首次裂解温度的提高有助于弱化界面结合,形成良好的界面结构,从而提高材料的力学性能.当裂解温度从1000℃提高到1600℃时,材料的弯曲强度由200.7MPa提高到319.2MPa,剪切强度由16.8MPa提高到29.8MPa,断裂韧度由7.4 MPa·m1/2提高到15.0 MPa·m1/2.
关键词:裂解温度; 界面; 先驱体转化法; Cf/SiC材料;
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