Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟
来源期刊：金属学报2008年第12期
论文作者：严志军 严立 程东
关键词：Cu/Ni多层膜; 分子动力学模拟; 失配位错; 镜像力;
摘 要：运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律,探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律.结果表明:Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展,阻碍作用主要来自于两个方面:界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面;由弹性模量差而产生的界面镜像力使位错被限制在Cu单层膜内运动.这种阻碍作用有利于提高Cu/Ni多层薄膜的力学性能.
严志军1，严立2，程东1
(1.大连海事大学轮机工程学院,大连,116026;
2.大连海事大学金属工艺研究所,大连,116026)
摘要:运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律,探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律.结果表明:Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展,阻碍作用主要来自于两个方面:界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面;由弹性模量差而产生的界面镜像力使位错被限制在Cu单层膜内运动.这种阻碍作用有利于提高Cu/Ni多层薄膜的力学性能.
关键词:Cu/Ni多层膜; 分子动力学模拟; 失配位错; 镜像力;
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