α-C:F薄膜的键合结构与电子极化研究
来源期刊：功能材料2001年第5期
论文作者：陆新华 叶超 宁兆元 康健 方亮 程珊华 项苏留 辛煜
关键词：α-c:F薄膜; 键结构; 电子极化;
摘 要：利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.
陆新华1，叶超2，宁兆元2，康健2，方亮2，程珊华2，项苏留3，辛煜2
(1.江苏大学化学化工系,;
2.苏州大学理学院物理系,;
3.江苏大学分析测试中心,)
摘要:利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.
关键词:α-c:F薄膜; 键结构; 电子极化;
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