高电流密度脉冲电解制备纯铜的研究
来源期刊：有色金属(冶炼部分)2002年第5期
论文作者：杨馨 朱云贵 何建波 鲁道荣 李学良
关键词：铜; 脉冲电解; 晶面择优取向; 结晶形态;
摘 要：在小型电解槽中研究高电流密度脉冲电解制备纯铜的工艺条件,并用XRD、SEM及等离子体质谱仪研究杂质对阴极铜沉积的结构和组成的影响.研究表明:30℃时,脉冲电解制备纯铜的工艺条件为:平均电流密度800A/m2,峰电流密度4 000A/m2,脉冲宽度2.0ms,脉冲频率100Hz,占空比1∶4.不用添加剂时,电解液中有害杂质的允许含量为(g/L):As5+≤0.03、Sb3+≤0.005、 Bi3+≤0.005 ;用添加剂(mg/L):Cl- 3.0、(NH2)2 CS 0.75～1.0、 glue 1.0～1.5,电解液中有害杂质的允许含量为(g/L):As5+≤0.5、Sb3+≤0.03、 Bi3+≤0.05.测试结果表明:当电解液中不含杂质时,铜沉积(220)晶面为择优取向,结晶形态为层状,电解液中含杂质时,铜沉积的(220)晶面择优取向更强,结晶形态为层状混块状.
杨馨1，朱云贵1，何建波1，鲁道荣1，李学良1
(1.合肥工业大学,安徽合肥,230009)
摘要:在小型电解槽中研究高电流密度脉冲电解制备纯铜的工艺条件,并用XRD、SEM及等离子体质谱仪研究杂质对阴极铜沉积的结构和组成的影响.研究表明:30℃时,脉冲电解制备纯铜的工艺条件为:平均电流密度800A/m2,峰电流密度4 000A/m2,脉冲宽度2.0ms,脉冲频率100Hz,占空比1∶4.不用添加剂时,电解液中有害杂质的允许含量为(g/L):As5+≤0.03、Sb3+≤0.005、 Bi3+≤0.005 ;用添加剂(mg/L):Cl- 3.0、(NH2)2 CS 0.75～1.0、 glue 1.0～1.5,电解液中有害杂质的允许含量为(g/L):As5+≤0.5、Sb3+≤0.03、 Bi3+≤0.05.测试结果表明:当电解液中不含杂质时,铜沉积(220)晶面为择优取向,结晶形态为层状,电解液中含杂质时,铜沉积的(220)晶面择优取向更强,结晶形态为层状混块状.
关键词:铜; 脉冲电解; 晶面择优取向; 结晶形态;
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