厚膜EMI滤波器用X7R介质瓷料的研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第5期
论文作者：王洪儒 吴霞宛 张志萍 李玲霞 余昊明 郭炜
关键词：先驱体; NiNb2O6; MnNb2O6; EMI; 滤波;
摘 要：利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统.由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1 290℃烧结时介电常数达到5 000以上,容量变化率△C/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1 150℃),介电常数大于3 600,容量变化率△dC≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备.
王洪儒1，吴霞宛1，张志萍1，李玲霞1，余昊明1，郭炜1
(1.天津大学,天津,300072)
摘要:利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统.由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1 290℃烧结时介电常数达到5 000以上,容量变化率△C/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1 150℃),介电常数大于3 600,容量变化率△dC≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备.
关键词:先驱体; NiNb2O6; MnNb2O6; EMI; 滤波;
【全文内容正在添加中】
