Cl-对铜在压延铜箔上的电结晶行为及其组织形貌的影响
来源期刊：矿冶工程2018年第2期
论文作者：朱思哲 谭澄宇 刘晨 王芝秀
文章页码：119 - 250
关键词：表面处理;粗化处理;氯离子;电结晶;镀层形貌;压延铜箔;
摘 要：采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L Cu SO4+70 g/L H2SO4酸性镀液中Cl-存在对铜沉积还原过程以及Cl-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入Cl-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3-0.1 VSCE)下缩短铜结晶初期的形核弛豫时间,提高阴极还原电流;在较高的偏压(-0.6-0.4 VSCE)下,Cl-则阻碍铜的结晶沉积。通过扫描电镜还观察了Cl-浓度、偏压对铜镀层组织形貌特征的影响,探讨了Cl-在铜电结晶过程中的作用机理。
朱思哲1，谭澄宇1，刘晨1，王芝秀2
1. 中南大学材料科学与工程学院2. 常州大学省材料表面科学与技术重点实验室
摘 要：采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L Cu SO4+70 g/L H2SO4酸性镀液中Cl-存在对铜沉积还原过程以及Cl-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入Cl-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3-0.1 VSCE)下缩短铜结晶初期的形核弛豫时间,提高阴极还原电流;在较高的偏压(-0.6-0.4 VSCE)下,Cl-则阻碍铜的结晶沉积。通过扫描电镜还观察了Cl-浓度、偏压对铜镀层组织形貌特征的影响,探讨了Cl-在铜电结晶过程中的作用机理。
关键词：表面处理;粗化处理;氯离子;电结晶;镀层形貌;压延铜箔;
