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ULSI 制备中氧化硅介质化学机械抛光的研究

来源期刊:稀有金属2000年第6期

论文作者:檀柏梅 刘立威 刘玉岭 李志

关键词:化学机械抛光; 全局平面化; 多层布线; ULSI; 二氧化硅;

摘    要:对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究,着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题,并实现了技术突破.



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ULSI 制备中氧化硅介质化学机械抛光的研究

檀柏梅1,刘立威1,刘玉岭1,李志1

(1.河北工业大学微电子研究所,天津,300130)

摘要:对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究,着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题,并实现了技术突破.

关键词:化学机械抛光; 全局平面化; 多层布线; ULSI; 二氧化硅;

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