简介概要

GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展

来源期刊：材料导报2013年第15期

论文作者：王爱玲毋志民王聪赵若禺

文章页码：113 - 118

关键词：GaN基稀磁半导体;LiZnAs基新型稀磁半导体;居里温度;晶体结构;

摘要：综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。

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王爱玲^1,2，毋志民^1,2，王聪¹，赵若禺^1,2

1. 重庆师范大学物理与电子工程学院2. 重庆市光电功能材料重点实验室

关键词：GaN基稀磁半导体;LiZnAs基新型稀磁半导体;居里温度;晶体结构;