近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究

来源期刊：功能材料2012年第23期

论文作者：苏虹 査钢强 高俊宁 介万奇

文章页码：3322 - 6652

关键词：近空间升华法;CdZnTe厚膜;薄膜探测器;光电性能;

摘    要：采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜均匀致密,随生长时间的延长,晶粒尺寸明显增大;不同厚度的CdZnTe膜均表现出沿（111）晶面的择优生长;CdZnTe厚膜的禁带宽度在1.53～1.56eV之间;电阻率在1010Ω.cm数量级,具有较好的光电响应,试制的薄膜探测器可用作计数型探测器。