电子束退火法制备MgB₂薄膜的温度场模拟

李艳丽^1,2，许壮³，张雪娜^1,2，李晓娜¹，孔祥东¹，韩立¹

1. 中国科学院电工研究所电子束曝光技术研究组2. 中国科学院大学3. 兰州大学物理科学与技术学院

摘 要：利用ANSYS软件模拟电子束退火MgB₂薄膜过程的温度场分布,退火样品与样品台之间的接触热阻对退火温度影响很大,且此接触热阻会随退火参数（电子束能量和退火时间）发生变化,这给模拟工作带来很大困难。本文先通过热阻串联对样品进行等效简化,再利用热传导近似计算把接触热阻的效应等效在样品模型中,并将接触热阻随退火参数的变化转化为电子束能量转化效率的变化,得到修正后的热源模型,仿真所得温度值与实测温度值基本相符,这为电子束退火制备薄膜材料的研究提供了温度参考。

关键词：ANSYS;电子束退火;薄膜;温度场;模拟;