基于两步法阳极氧化的TiO₂纳米管阵列制备研究

来源期刊：稀有金属材料与工程2015年第12期

论文作者：张君慧 郭丽芳 赵清华 张文栋 李大维 李刚

文章页码：3136 - 3140

关键词：硅基底;阳极氧化;TiO2纳米管阵列;

摘    要：采用低浓度的无机溶剂HF溶液（0.05%,质量分数）对溅射在硅基底上的400 nm钛薄膜进行阳极氧化制备TiO₂纳米管阵列,并利用SEM对制备出的TiO₂纳米管阵列进行表征。实验结果表明,通过优化阳极氧化电压幅值、电压施加方式和氧化时间,均可有效控制纳米管阵列的尺寸和形貌。首先施加0.5 V的低电压28 min,在低浓度的HF溶液中阳极氧化钛薄膜制备TiO₂纳米管阵列,其管径可达120 nm左右。在此基础上,对电压施加方式进行改进,提出两步法施加电压方式,并优化氧化时间,在硅基底钛薄膜上制备出管径为100²70 nm结构紧密有序的TiO₂纳米管阵列,明显优于钛薄膜在有机电解液中氧化制备的管径为70¹00 nm的TiO₂纳米管阵列。