基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化

来源期刊：功能材料2013年第4期

论文作者：艾明哲 贾雅婷 徐慧中 彭斌

文章页码：577 - 580

关键词：各向异性磁阻;NiFe薄膜;缓冲层;磁阻开关;

摘    要：采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大。利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右。