大面积平整金刚石薄膜的制备
来源期刊：功能材料与器件学报2001年第3期
论文作者：万永中 沈荷生 杨小倩 胡晓 张志明 何贤昶
关键词：热丝CVD; 金刚石薄膜; 成核;
摘 要：用热丝CVD的方法在3英寸的硅衬底上生长均匀的金刚石薄膜，应用了在热丝上方加石墨电极，在形核阶段相对于热丝施加一直流负偏压的预处理方法，使金刚石的成核密度达到1010－1011/cm2。在3英寸镜面抛光的硅衬底上制备了平整的金刚石薄膜,生长的薄膜用SEM及喇曼光谱进行了测试。实验发现电极的位置是影响金刚石薄膜均匀性的重要因素。
万永中1，沈荷生1，杨小倩1，胡晓1，张志明1，何贤昶1
(1.上海交通大学)
摘要:用热丝CVD的方法在3英寸的硅衬底上生长均匀的金刚石薄膜，应用了在热丝上方加石墨电极，在形核阶段相对于热丝施加一直流负偏压的预处理方法，使金刚石的成核密度达到1010－1011/cm2。在3英寸镜面抛光的硅衬底上制备了平整的金刚石薄膜,生长的薄膜用SEM及喇曼光谱进行了测试。实验发现电极的位置是影响金刚石薄膜均匀性的重要因素。
关键词:热丝CVD; 金刚石薄膜; 成核;
【全文内容正在添加中】
