金属钨纳米线阵列的制备
来源期刊：材料研究学报2008年第6期
论文作者：王世良 贺跃辉 高程
关键词：金属材料; 金属钨; 单晶; 纳米线; 阵列;
摘 要：用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X-ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明:在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构,直径约为150 nm,长度为10-30 μm.
王世良1，贺跃辉1，高程1
(1.中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083)
摘要:用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X-ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明:在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构,直径约为150 nm,长度为10-30 μm.
关键词:金属材料; 金属钨; 单晶; 纳米线; 阵列;
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