Ni₃V₂O₈电子结构及光学性质的理论研究

周传仓¹，张飞鹏²，路清梅³，张忻³

1. 丽水学院理学院2. 河南城建学院数理学院3. 北京工业大学材料科学与工程学院

摘 要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法在广义梯度近似下计算了Ni₃V₂O₈的能带结构、电子态密度及其光学性质。计算结果表明,Ni₃V₂O₈存在宽度为1.0eV的间接带隙,其费米能级附近电子有弱迁移性;费米能级附近主要为Ni d、Vd和Op轨道形成的能带,且轨道之间有较强的杂化作用。当入射光能量为2.16eV时,电子将从价带顶的Nid轨道跃迁至导带底的Op轨道;当入射光能量为3.14eV时,电子则从价带中的Vd轨道跃迁至导带中的Op轨道。Ni₃V₂O₈的吸收光谱在7.26eV处出现最强吸收峰,光学带隙为3.47eV。

关键词：Ni3V2O8;电子结构;光学性质;密度泛函理论;平面波超软赝势法;广义梯度近似;