半导体材料产业的发展现状
来源期刊：中国金属通报2003年第34期
论文作者：徐远林
文章页码：2 - 5
摘 要：<正> 3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法),成功制备出4～6英寸大直径GaAs单晶。
徐远林
峨嵋半导体材料厂
摘 要：<正> 3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法),成功制备出4～6英寸大直径GaAs单晶。
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