磁控溅射基片负偏压对Ti/TiN复合纳米薄膜择优取向的影响

来源期刊：材料热处理学报2014年第4期

论文作者：王会强 邢艳秋 孙维连 董婷婷 孙铂

文章页码：193 - 197

关键词：磁控溅射;纳米膜层;择优取向;基片负偏压;

摘    要：采用中频反应磁控溅射技术,以高纯Ti（99.99%）为靶材,以高纯氮气（99.99%）为反应气体,在铝合金基片上沉积Ti/TiN复合纳米膜层。通过XRD、SEM、EDS等分析Ti/TiN复合纳米膜层微观组织和物相结构,研究基片负偏压对Ti/TiN复合纳米薄膜择优取向生长的影响。研究表明,将片加上-150 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿（111）面生长;将基片加上-200 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿（220）面生长;将基片加上-350 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿（200）面生长。继续增大基片负偏压时,由于薄膜中Ar离子浓度大幅增长,高能离子长时间轰击破坏晶粒取向性,使薄膜呈无择优取向。