简介概要

SOI键合材料的TEM研究

来源期刊：稀有金属1998年第4期

论文作者：张椿朱悟新周旗钢刘安生王敬屠海令

关键词：硅片键合; SOI; 界面; 微结构;

摘要：用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.

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张椿¹，朱悟新¹，周旗钢¹，刘安生¹，王敬¹，屠海令¹

(1.北京有色金属研究总院)

摘要:用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.

关键词:硅片键合; SOI; 界面; 微结构;

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