单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：杨全魁 陈意桥 李爱珍 陈俊 王润梅 王惟林 刘训春 陈建新 陈晓杰 李无瑕
关键词：单电源; InGaP/InGaAs; LNA;
摘 要：制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.
杨全魁1，陈意桥1，李爱珍1，陈俊2，王润梅2，王惟林2，刘训春2，陈建新1，陈晓杰1，李无瑕2
(1.中国科学院上海冶金研究所,上海200050;
2.中国科学院微电子中心,北京100010)
摘要:制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.
关键词:单电源; InGaP/InGaAs; LNA;
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