AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导瓷显微结构及电性能影响
来源期刊：功能材料2002年第5期
论文作者：龚树萍 汪小红 姜胜林 周东祥
关键词：AST液相; 低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体瓷; 显微结构及电性能;
摘 要：通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响.研究结果指出:BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响.
龚树萍1，汪小红1，姜胜林1，周东祥1
(1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074)
摘要:通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响.研究结果指出:BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响.
关键词:AST液相; 低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体瓷; 显微结构及电性能;
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