CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察
来源期刊：材料工程2010年第1期
论文作者：邓江辉 郭楠 何知宇 赵北君 李佳伟 朱世富
关键词：非线性红外光学晶体; 砷锗镉; 腐蚀剂; 蚀坑形貌; non-linear infrared optical crystal; CdGeAs_2; etchant; etch pits morphology;
摘 要：采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs_2)单晶片(101)面蚀坑形貌.选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs_2晶片.报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO_3∶H_2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs_2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因.
邓江辉1，郭楠1，何知宇1，赵北君1，李佳伟1，朱世富1
(1.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064)
摘要:采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs_2)单晶片(101)面蚀坑形貌.选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs_2晶片.报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO_3∶H_2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs_2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因.
关键词:非线性红外光学晶体; 砷锗镉; 腐蚀剂; 蚀坑形貌; non-linear infrared optical crystal; CdGeAs_2; etchant; etch pits morphology;
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