Si₃N₄原位增强Cu基复合材料的制备

来源期刊：复合材料学报2015年第2期

论文作者：徐玉松 李鹏 靳翠平

文章页码：458 - 464

关键词：复合材料;Cu基;原位增强;Si3N4;制备;

摘    要：采用感应炉熔炼及水雾化工艺制得了Cu-Si合金粉末,经N2、H2混合气体选择氮化和真空放电等离子烧结（SPS）成型,制备得到了Si3N4原位增强Cu基复合材料（Si3N4/Cu）,利用萃取法研究了选择性氮化产物及其晶体结构。结果表明:复合粉末中N含量随氮化温度的升高和氮化时间的延长而增大。在1 000℃下氮化,持续时间大于60h时,粉末中的N含量明显提高;Cu的衍射峰出现整体向大角度方向的明显偏移,同时晶格常数变小,表明Si从Cu基体中脱溶,与N反应生成Si3N4;Si3N4/Cu复合材料的增强体以β-Si3N4为主;随着氮化温度的升高和氮化时间的延长,Si3N4/Cu复合材料的电导率和硬度逐步提高。