基于四羟甲基甘脲前驱体的新型含氮富微孔活性炭制备及其性能研究
来源期刊:材料导报2017年第4期
论文作者:黄凯兵 杨秀文 王智健 姚异渊
文章页码:30 - 35
关键词:四羟甲基甘脲;双电层电容器;活化温度;微孔;比电容;
摘 要:以四羟甲基甘脲为碳前驱体,采用KOH活化法处理得到双电层电容器用多孔活性炭材料。考察了不同碳化、活化温度对活性炭比电容的影响。结果表明,在850℃碳化,650℃活化处理时其电容性能最好,SEM和比表面与孔径分布测试说明TA-850-650表面富集微孔;恒流充放电与循环伏安测试结果表明TA-850-650的比电容在电流密度为0.2A/g时可达527F/g。
黄凯兵,杨秀文,王智健,姚异渊
湖南大学材料科学与工程学院
摘 要:以四羟甲基甘脲为碳前驱体,采用KOH活化法处理得到双电层电容器用多孔活性炭材料。考察了不同碳化、活化温度对活性炭比电容的影响。结果表明,在850℃碳化,650℃活化处理时其电容性能最好,SEM和比表面与孔径分布测试说明TA-850-650表面富集微孔;恒流充放电与循环伏安测试结果表明TA-850-650的比电容在电流密度为0.2A/g时可达527F/g。
关键词:四羟甲基甘脲;双电层电容器;活化温度;微孔;比电容;