简介概要

多孔硅电学特性研究

来源期刊：材料工程2008年第2期

论文作者：刘博宋阳胡明房振乾

关键词：多孔硅; 双槽电化学腐蚀法; I-V特性; 欧姆接触;

摘要：采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.

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刘博¹，宋阳¹，胡明¹，房振乾¹

(1.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072)

摘要:采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.

关键词:多孔硅; 双槽电化学腐蚀法; I-V特性; 欧姆接触;

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