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沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响

来源期刊:稀有金属2008年第6期

论文作者:徐继平 周旗钢 刘斌 籍小兵

关键词:沉积温度; 多晶硅; 吸杂; 晶粒;

摘    要:研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650~680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度.



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沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响

徐继平1,周旗钢1,刘斌1,籍小兵1

(1.北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京,100088)

摘要:研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650~680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度.

关键词:沉积温度; 多晶硅; 吸杂; 晶粒;

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