Cu-In系中Cu11In9相的生长动力学研究
来源期刊：材料导报2009年增刊第2期
论文作者：潘勇 欧铜钢 周兆锋 谭艳芳
关键词：金属间化合物; Cu-In预制层; 生长动力学; Cu11In9相; 扩散; intermetallic compound; Cu-In precursor; growth kinetics; Cu11In9 phase; diffusion;
摘 要：采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶.将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90 min的热处理.实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu11In9相;将Cu11In9相的厚度与热处理时间的关系接经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu11In9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制.
潘勇1，欧铜钢1，周兆锋1，谭艳芳1
(1.湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭411105;
2.湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭411105)
摘要:采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶.将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90 min的热处理.实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu11In9相;将Cu11In9相的厚度与热处理时间的关系接经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu11In9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制.
关键词:金属间化合物; Cu-In预制层; 生长动力学; Cu11In9相; 扩散; intermetallic compound; Cu-In precursor; growth kinetics; Cu11In9 phase; diffusion;
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