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以SiCl4/H2为气源低温制备pc-Si薄膜的稳恒光电导特性

来源期刊：功能材料2007年第5期

论文作者：林璇英余楚迎黄锐

关键词：多晶硅薄膜; 稳恒光电导效应; 晶化率; 晶粒尺寸;

摘要：研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法, 在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况.实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类稳恒光电导效应,而且薄膜的稳恒光电导特性依赖于薄膜的晶化率和晶粒尺寸,随晶化率的增加和晶粒尺寸的增大而增大.

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林璇英¹，余楚迎¹，黄锐¹

(1.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063;
2.南京大学,物理系,江苏,南京,210093)

摘要:研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法, 在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况.实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类稳恒光电导效应,而且薄膜的稳恒光电导特性依赖于薄膜的晶化率和晶粒尺寸,随晶化率的增加和晶粒尺寸的增大而增大.

关键词:多晶硅薄膜; 稳恒光电导效应; 晶化率; 晶粒尺寸;

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