用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜
来源期刊：无机材料学报2005年第1期
论文作者：周圣明 李抒智 徐军 邹军 杨卫桥
关键词：GaN; 气相传输平衡技术(VTE); γ-LiAlO2; 蓝宝石;
摘 要：利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的γ-LiAlO2薄膜.X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成.此薄膜经850～900℃/120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向.这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)-Al2O3(0001)复合衬底.
周圣明1，李抒智1，徐军1，邹军1，杨卫桥1
(1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800)
摘要:利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的γ-LiAlO2薄膜.X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成.此薄膜经850～900℃/120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向.这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)-Al2O3(0001)复合衬底.
关键词:GaN; 气相传输平衡技术(VTE); γ-LiAlO2; 蓝宝石;
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