Si-cap厚度对Si/SiGe/SOI量子阱p-FET电学性能的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2017年第5期
论文作者：赵宇航 卢意飞 刘强
文章页码：105 - 109
关键词：Si/SiGe/SOI;Si-cap;Ge的互扩散;
摘 要：本工作模拟仿真了Si/SiGe/SOI量子阱p-MOSFETs的电学性能,重点分析了Si-cap层厚度对Ge的层间互扩散的影响。依据本文的仿真模型,Si-cap层越薄,越有利于形成Si/SiGe突变异质结,并有利于形成势垒更深的量子阱,这有利于将更多的空穴限制在SiGe层中,而不是进入厚的Si-cap层中。空穴在SiGe层中的迁移率显著高于在Si-cap层中的迁移率,从而提高了器件性能。此外,较薄的Si-cap层有利于在SiGe层中形成更高的沟道电场,从而提高器件的开启电流。
赵宇航1，卢意飞1，刘强2
1. 上海集成电路研发中心有限公司2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘 要：本工作模拟仿真了Si/SiGe/SOI量子阱p-MOSFETs的电学性能,重点分析了Si-cap层厚度对Ge的层间互扩散的影响。依据本文的仿真模型,Si-cap层越薄,越有利于形成Si/SiGe突变异质结,并有利于形成势垒更深的量子阱,这有利于将更多的空穴限制在SiGe层中,而不是进入厚的Si-cap层中。空穴在SiGe层中的迁移率显著高于在Si-cap层中的迁移率,从而提高了器件性能。此外,较薄的Si-cap层有利于在SiGe层中形成更高的沟道电场,从而提高器件的开启电流。
关键词：Si/SiGe/SOI;Si-cap;Ge的互扩散;
