高纯超细氧化镁的制备工艺
来源期刊:材料导报2016年第12期
论文作者:郭孔彬 杨喜云 刘政坤 徐徽 黄海强
文章页码:95 - 99
关键词:超细;氧化镁;沉淀;
摘 要:以MgCl2·6H2O为原料,PVA与CTAB为添加剂,采用氨水直接沉淀制备氢氧化镁前驱体,再经煅烧得到高纯超细氧化镁。研究了温度、镁离子浓度、添加剂用量、原料配比和煅烧温度对氧化镁粒度的影响。确定最佳工艺条件为:反应温度40℃,Mg2+浓度1mol/L,PVA用量0.6%(质量分数),CTAB的用量1.2%(质量分数),n(NH3·H2O)∶n(MgCl2·6H2O)=3.3∶1,煅烧温度600℃,煅烧时间3h。荧光光谱分析表明,氧化镁纯度达到了99.9%以上;激光粒度和SEM结果显示,粒子分散性较好,平均粒径为190nm,粒度分布呈正态分布。
郭孔彬,杨喜云,刘政坤,徐徽,黄海强
中南大学冶金与环境学院
摘 要:以MgCl2·6H2O为原料,PVA与CTAB为添加剂,采用氨水直接沉淀制备氢氧化镁前驱体,再经煅烧得到高纯超细氧化镁。研究了温度、镁离子浓度、添加剂用量、原料配比和煅烧温度对氧化镁粒度的影响。确定最佳工艺条件为:反应温度40℃,Mg2+浓度1mol/L,PVA用量0.6%(质量分数),CTAB的用量1.2%(质量分数),n(NH3·H2O)∶n(MgCl2·6H2O)=3.3∶1,煅烧温度600℃,煅烧时间3h。荧光光谱分析表明,氧化镁纯度达到了99.9%以上;激光粒度和SEM结果显示,粒子分散性较好,平均粒径为190nm,粒度分布呈正态分布。
关键词:超细;氧化镁;沉淀;