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热压烧结短切SiCf/LAS复合材料的介电性能

来源期刊:材料导报2007年第10期

论文作者:罗发 翟晓勇 朱冬梅 周万城

关键词:复合材料; 短切SiC纤维; LAS玻璃陶瓷; 介电性能;

摘    要:采用热压烧结法制备出致密的短切SiCf增强IAS玻璃陶瓷复合材料,讨论了热压保温时间与纤维长度对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8~12GH2之间,复合材料的复介电常数实部ε'由基体的7.6上升到10~100,虚部ε"由基体的0.34上升到60~140,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1~40,并具有明显的频散效应.当保温时间由10min增加到20min时,复合材料ε'增大,ε"与tgδ减小.保温时间10min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε'减小,ε"先减小后增大,而tgδ增大;保温时间20min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε'先减小后增大,ε"与tgδ则先增大后减小.复合材料具有成为电损耗型宽带吸波材料的潜力.

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热压烧结短切SiCf/LAS复合材料的介电性能

罗发1,翟晓勇1,朱冬梅1,周万城1

(1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072)

摘要:采用热压烧结法制备出致密的短切SiCf增强IAS玻璃陶瓷复合材料,讨论了热压保温时间与纤维长度对复合材料介电性能的影响.结果表明,测试频率在8~12GH2之间,复合材料的复介电常数实部ε''由基体的7.6上升到10~100,虚部ε"由基体的0.34上升到60~140,介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1~40,并具有明显的频散效应.当保温时间由10min增加到20min时,复合材料ε''增大,ε"与tgδ减小.保温时间10min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε''减小,ε"先减小后增大,而tgδ增大;保温时间20min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε''先减小后增大,ε"与tgδ则先增大后减小.复合材料具有成为电损耗型宽带吸波材料的潜力.

关键词:复合材料; 短切SiC纤维; LAS玻璃陶瓷; 介电性能;

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