PLD法制备氧化锌薄膜生长机制及发光特性的研究
来源期刊：材料导报2008年增刊第1期
论文作者：于永强 汪壮兵 刘炳龙 谢可可 梁齐 孔明光 仇旭升 章伟
关键词：ZnO薄膜; PLD; XRD; PL谱;
摘 要：利用PLD法在Si衬底上成功地制备了具有较好C轴择优取向生长的ZnO薄膜,从样品的XRD谱可以看出在环境氧压为20Pa,衬底温度为700℃时生长的样品的XPD谱(002)峰半高宽较窄,膜的结晶程度最好.不同的衬底温度下膜的生长机制也不一样,主要有:V-L-S机制和V-S机制.样品室温下的PL谱显示所有样品均出现UV发射和可见光区蓝绿光发射,而蓝绿光发射强度随氧压的增大而增强,表明样品的蓝绿光发射来源于样品中的受主缺陷.
于永强1，汪壮兵1，刘炳龙1，谢可可1，梁齐1，孔明光2，仇旭升1，章伟1
(1.合肥工业大学理学院,合肥,230009;
2.中国科学院合肥固体物理研究所材料物理重点实验室,合肥,230031)
摘要:利用PLD法在Si衬底上成功地制备了具有较好C轴择优取向生长的ZnO薄膜,从样品的XRD谱可以看出在环境氧压为20Pa,衬底温度为700℃时生长的样品的XPD谱(002)峰半高宽较窄,膜的结晶程度最好.不同的衬底温度下膜的生长机制也不一样,主要有:V-L-S机制和V-S机制.样品室温下的PL谱显示所有样品均出现UV发射和可见光区蓝绿光发射,而蓝绿光发射强度随氧压的增大而增强,表明样品的蓝绿光发射来源于样品中的受主缺陷.
关键词:ZnO薄膜; PLD; XRD; PL谱;
【全文内容正在添加中】
