BST薄膜漏电流温度特性研究
来源期刊：功能材料2006年第1期
论文作者：吴传贵 张万里 卢肖 李言荣
关键词：BST薄膜; 漏电流; 温度特性; 空间电荷限制电流;
摘 要：采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295～375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响.实验发现:J∝Vm在低场下(V＜1.8V)m≈1,高场下(V＞1.8V)m≈8.随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数m值保持不变;而在高场下电流密度减小,指数m值减小.通过进一步分析发现:电流密度和温度的关系在低场下满足lnJ∝-1T,在高场下满足logJ∝1t.
吴传贵1，张万里1，卢肖1，李言荣1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054)
摘要:采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295～375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响.实验发现:J∝Vm在低场下(V＜1.8V)m≈1,高场下(V＞1.8V)m≈8.随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数m值保持不变;而在高场下电流密度减小,指数m值减小.通过进一步分析发现:电流密度和温度的关系在低场下满足lnJ∝-1T,在高场下满足logJ∝1t.
关键词:BST薄膜; 漏电流; 温度特性; 空间电荷限制电流;
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