Cu-Al合金平板试样内氧化层的测定
来源期刊：兵器材料科学与工程2007年第1期
论文作者：郜建新 宋克兴 刘瑞华 国秀花
关键词：Cu-Al合金; 内氧化深度; 电导率; 内氧化前沿界面;
摘 要：以Cu2O为氧源,采用包埋法在自制真空炉胆内进行了Cu-Al合金平板试样的内氧化试验,测定了内氧化层深度和试样的电导率,建立了平板试样内氧化后Cu-Al合金层和弥散强化层共存下的电导率模型,推导出Cu-Al合金平板试样的内氧化深度X和电导率κ的关系:κ=41.18+0.541 333(23X-4X2).结果表明,内氧化后在试样横截面上有一条明显的界线,分界线的深度测定和电导率测定结果与公式计算结果吻合得较好,证明此界线即为内氧化的前沿界面,在显微镜下可测量出内氧化层的深度.
郜建新1，宋克兴1，刘瑞华1，国秀花1
(1.河南科技大学,材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003)
摘要:以Cu2O为氧源,采用包埋法在自制真空炉胆内进行了Cu-Al合金平板试样的内氧化试验,测定了内氧化层深度和试样的电导率,建立了平板试样内氧化后Cu-Al合金层和弥散强化层共存下的电导率模型,推导出Cu-Al合金平板试样的内氧化深度X和电导率κ的关系:κ=41.18+0.541 333(23X-4X2).结果表明,内氧化后在试样横截面上有一条明显的界线,分界线的深度测定和电导率测定结果与公式计算结果吻合得较好,证明此界线即为内氧化的前沿界面,在显微镜下可测量出内氧化层的深度.
关键词:Cu-Al合金; 内氧化深度; 电导率; 内氧化前沿界面;
【全文内容正在添加中】
