氧对磁控溅射制备InN薄膜带隙的影响

来源期刊：功能材料与器件学报2012年第5期

论文作者：石相军 汪健 朱洁 侯祥胡

文章页码：397 - 402

关键词：射频磁控溅射;InN;带隙;In2O3;

摘    要：本文用射频磁控溅射技术,以金属铟为靶材,在石英玻璃上制备出了InN薄膜,溅射气体为氩气(Ar)和氮气(N2)的混合气体,溅射压强为0.5Pa～1.0Pa。InN晶体呈六方纤锌矿结构,随着压强的不同,晶体取向发生明显的变化,制得的InN薄膜的带隙为2.1eV～2.3eV。X射线光电子能谱(XPS)和拉曼(Raman)分析氧原子以类似In2O3的形式存在,其存在会引起InN晶体质量变差,致使InN的带隙明显升高。