低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究
来源期刊：功能材料2001年第3期
论文作者：周文利 王耘波 于军 谢基凡 王华 朱丽丽
关键词：PZT; 铁电薄膜; PLD; 制备工艺;
摘 要：采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜.所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10-7A/cm2.107次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性.
周文利1，王耘波1，于军1，谢基凡1，王华1，朱丽丽1
(1.华中理工大学,电子科学与技术系,)
摘要:采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜.所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10-7A/cm2.107次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性.
关键词:PZT; 铁电薄膜; PLD; 制备工艺;
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