硫化钨花形二维纳米晶的控制生长研究
来源期刊：材料科学与工程学报2005年第5期
论文作者：黄新堂 艾汉华
关键词：硫化钨; 花形纳米晶; 控制生长;
摘 要：以氧化钨为原料,硫化氢为气源在阳极氧化铝(AAO)模板基底上采用气固法制备出了硫化钨花形二维纳米晶体.采用x射线衍射(XRD)、电子透射显微镜(TEM)和场发射电子扫描显微镜(SEM)等手段对所制备的样品进行了检测分析,证实所得灰黑色产物是硫化钨单晶,片状单晶长宽约为几个微米,厚度约30nm.本文对纳米花晶体的制备、影响因素等进行了初步探讨.
黄新堂1，艾汉华1
(1.华中师范大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430079)
摘要:以氧化钨为原料,硫化氢为气源在阳极氧化铝(AAO)模板基底上采用气固法制备出了硫化钨花形二维纳米晶体.采用x射线衍射(XRD)、电子透射显微镜(TEM)和场发射电子扫描显微镜(SEM)等手段对所制备的样品进行了检测分析,证实所得灰黑色产物是硫化钨单晶,片状单晶长宽约为几个微米,厚度约30nm.本文对纳米花晶体的制备、影响因素等进行了初步探讨.
关键词:硫化钨; 花形纳米晶; 控制生长;
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